Transistoren

Junction FET

• Spannung (VDS): ±30 V
• Leistung: 300 mW
• Gehäuse: TO92

• Transistorpolung: N-Channel
• Überschlagsspannung Drain-Source: 500V
• Überschlagsspannung Gate-Source: +/- 20 V
• Drain-Gleichstrom: 30 mA
• Gehäuse: TO-92
• ROHS: Ja

Dateien:

• Datenblatt

• Typ: IRF740
• Produktkategorie: MOSFET
• Transistorpolung: N-Channel
• Überschlagsspannung Drain-Source: 400V
• Überschlagsspannung Gate-Source: 20 V
• Drain-Gleichstrom: 10 A
• Gehäuse: TO-220-3
• ROHS: Ja

• Typ: IRFBC40PBF
• Produktkategorie: MOSFET
• Transistorpolung: N-Channel
• Überschlagsspannung Drain-Source: 600V
• Überschlagsspannung Gate-Source: +/- 20 V
• Drain-Gleichstrom: 6,2 A
• Gehäuse: TO-220AB
• ROHS: Ja

Dateien:

• Datenblatt

Bipolarer Transistor,

NPN

•  NPN
• U_CEO =  45 V
• I_C = 0,1 A
• P_tot = 500 mW
• f_T = 100 MHz
• h_fe = 200...450
• TO92